波長13.5ナノメートルの極端紫外線で半導体の超微細化を実現

技術研究組合極端紫外線露光システム技術開発機構

設立年 平成14年5月
組合員 企業 9社
ウシオ電機株式会社 NECエレクトロニクス株式会社 キヤノン株式会社 ギガフォトン株式会社 株式会社小松製作所 株式会社東芝 株式会社ニコン 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 株式会社ルネサステクノロジ
目的 波長13.5nmという非常に短い波長の光(極端紫外線Extreme Ultraviolet:EUV光)を用いた露光装置技術の早期確立を目指し、産学官の総力を結集し、効果的な研究開発を推進する。

未来を開く高機能、省エネルギーの超微細化半導体を製造する決め手、極端紫外線リソグラフィ技術の鍵を握る、光源・装置の開発

情報通信技術の高度化のためには、半導体素子のさらなる微細化・高集積化が必要となっています。微細化・高集積化には高度な微細加工技術が必要であり、半導体などの表面に回路パターンを焼き付けるリソグラフィ技術は特に重要な技術であり、情報電子技術の国際競争力に関わるキーテクノロジーです。

技術研究組合極端紫外線露光システム技術開発機構(EUVA)は、極端紫外線(Extreme Ultraviolet:以下EUV)を用いた半導体微細加工を実現するための光源・露光装置技術の早期確立を産学官一体となって推進する目的で設立されました。

EUVを用いるリソグラフィは、従来の光リソグラフィに比べて遙かに波長が短い13.5nmの露光波長を用い、32nmよりも微細な加工を可能とする次世代リソグラフィ技術として最も有望と考えられています。

EUVは通常のレンズで集光できない為、高度な加工精度が要求される特殊な多層膜ミラーからなる反射光学系を用いなくてはなりません。さらに、1枚当たりの反射率が70%程度しかない多層膜ミラーを組み合わせるために、利用できる光の量が減少します。その減少を補う強力な光源も必要となります。

この他、光学計測、マスク・レジストなどの技術も総合的に確立し、露光装置として実現しなければなりません。

平塚研究室の試験装置  御殿場研究室のDPP光源

(平塚ではLPP光源開発、御殿場ではDPP光源開発を担当)

 

EUV露光システム開発は巨額の投資を必要とすると共に、最先端の科学技術を結集する必要がある開発テーマです。海外ではコンソーシアムを中心に強力な推進体制が取られているます。このような動きに対抗し、我が国産業の基盤を強化するために、露光装置メーカ、光源メーカ、デバイスメーカが技術研究組合を形成し、経済産業省、NEDO、大学との連携の下、研究開発を進めています。平成19年度にNEDO支援を終了した、装置技術と計測技術の開発成果はEUVA組合員企業へ引き継がれています。平成20年度からは、EUV光源の高出力化と高信頼化のための技術開発を進めています。高出力化については、国内の光源メーカ3社が推進し、高信頼化技術については、NEDOからの委託事業「MIRAI」の一環として、EUVプロセス技術開発を進めている(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)と連携を取りつつ、開発を進めていおり、平成22年度には所期の目標を達成する予定です。

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